半导体器件电子学：英文版

定　价：¥72.00

作　者：	（美）R.M.Warner，（美）B.L.Grung著
出版社：	电子工业出版社
丛编项：	国外电子与通信教材系列
标　签：	科普英文版英语读物英语与其他外语

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ISBN：	9787505379626	出版时间：	2002-09-01	包装：	平装
开本：	24cm	页数：	930	字数：

内容简介

　　全书分5章，内容包括现代电子学基础、半导体体特性、PN结、双极结型晶体管（BJT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等半导体器件电子学中最基本、最经典的内容。从电荷、电场开始，循序渐渐地讲解半导体体特性、器件理论，最后深入分析两类最基本的晶体管（BJT和MOSFET）并对其性能作比较，本书还特别强调SPICE分析方法。这些内容和讲述方法在国内同类书籍中并不多见。本书在正式出版之间，作者已用它在美国明尼苏达大学电机工程系讲授多年。书中吸收了作者的教学经验及学生们的意见，内容精心安排，文字叙述简洁，公式推导准确易懂，图例说明清晰，并包含大量的习题解答，使本书非常适用于教学；每章后面的小结、复习要点与习题便于读者更好地理解、掌握有关的基本概念，并能将其灵活运用到工程实践中。

作者简介

暂缺《半导体器件电子学：英文版》作者简介

图书目录

第1章现代电子学基础
Foundations of Modern Electronics

第2章半导体体特性
Bulk Properties of Semiconductors

第3章 PN结
PN Junctions
第4章双极结型晶体管（BJT）
The Biopolar Junction Transistor

第5章金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
The MOSFET