第1章晶体二极管.
1.1半导体物理基础知识
1.1.1本征半导体
1.1.2杂质半导体
1.1.3两种导电机理——漂移和扩散
1.1.4小结
1.2PN结
1.2.1动态平衡下的PN结
1.2.2刚结的伏安特性
1.2.3PN结的击穿特性
1.2.4PN结的电容特性
1.2.5小结
1.3晶体二极管电路的分析方法
1.3.1晶体二极管模型
1.3.2晶体二极管电路分析方法
1.4晶体二极管的应用
1.4.1整流与稳压电路
1.4.2限幅电路
*1.5其它二极管
1.5.1肖特基表面势垒二极管
1.5.2光电二极管
习题
附录PSPICE电路分析
第2章晶体三极管
2.1放大模式下晶体三极管的工作原理
2.1.1内部载流子传输过程
2.1.2电流传输方程
2.1.3一般模型
2.2晶体三极管的其它工作模式
2.2.1饱和模式
2.2.2截止模式
2.3埃伯尔斯—莫尔模型
2.4晶体三极管的伏安特性曲线
2.5晶体三极管的小信号电路模型
2.6晶体三极管电路分析方法
2.6.1图解分析法
2.6.2工程近似分析法
2.6.3小信号等效电路分析法
2.7晶体三极管应用原理
2.7.1电流源
2.7.2放大器
2,7.3跨导线性电路
2.8集成工艺
2.8.1集成工艺的标准流程
2.8.2集成元器件
2.8.3集成元器件的特点
习题
附录PSPICE电路分析
第3章场效应管
3.1MOS场效应管
3.1.1增强型MOS(EMOS)场效应管
3.1.2耗尽型MOS(DMOS)场效应管
3.1.3四种MOS场效应管比较
3.1.4小信号电路模型
3.1.5分析方法
3.2结型场效应管
3.2.1工作原理
3.2.2伏安特性曲线
3.3场效应管应用原理
3.3.1有源电阻
3.3.2开关
习题
附录PSPICE电路分析
第4章放大器基础
4.1偏置电路和耦合方式
4.1.1偏置电路..
4.1.2耦合方式
4.2放大器的性能指标
4.2.1输入电阻.输出电阻和增益
4.2.2失真
4.3基本组态放木器
4.3.1三种组态放大器的实际电路
4.3.2共发.共基和共集放大器的性能
4.3.3改进型放大器
4.3.4共源.共栅和共漏放大器的性能
4.3.5集成MOS放大器
4.4差分放大器
4.4.1电路结构
4.4.2性能特点
4.4.3电路两边不对称对性能的影响
4.4.4差模传输特性
4.5电流源电路及其应用
4.5.1镜像电流源电路
4.5.2其它改进型电流源电路
4.5.3有源负载差分放大器
4.6集成运算放大器
4.6.1集成运放概述
4.6.2F007集成运放的内部组成电路
4.7放大器的频率响应
4.7.1复频域分析方法
4.7.2共发放大器的频率特性
4.7.3共集和共基放大器的频率响应
4.7.4宽带放大器
*4.8放大器的噪声
4.8.1起伏噪声的来源
4.8.2放大器噪声分析
习题
附录PSPICE电路分析
第5章放大器中的负反馈
5.1反馈放大器的基本概念
5.1.1反馈放大器的组成
5.1.2四种类型负反馈放大器
5.1.3反馈性质和反馈类型的判别
5.2负反馈对放大器性能的影响
5.2.1增益灵敏度
5.2.2输入和输出电阻
5.2.3失真和噪声
*5.3负反馈放大器的性能分析
5.4深度负反馈
5.4.1深度负反馈条件
5.4.2虚短路和虚开路
5.5负反馈放大器的稳定性
5.5.1判别稳定性的准则
5.5.2集成运放的相位补偿技术
习题
附录PSPICE电路分析
第6章集成运算放大器及其应用电路
6.1集成运放应用电路的组成原理
6.1.1集成运放的理想化条件
6.1.2运算电路
6.1.3精密整流电路
6.1.4仪器放大器
6.1.5电流传输器
6.2集成运放的性能参数及其对应用电路的影响
6.2.1集成运放性能参数
6.2.2直流和低频参数对性能的影响
6.2.3高频参数对性能的影响
*6.3高精度和高速宽带集成运放
6.3.1高精度集成运放
6.3.2高速宽带集成运放
6.4集成电压比较器
6.4.1电压比较器的作用
6.4.2具有不同比较特性的电压比较器电路
*6.4.3集成电压比较器
习题
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