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超大规模集成电路设计导论

超大规模集成电路设计导论

定 价:¥26.00

作 者: 蔡懿慈,周强编著
出版社: 清华大学出版社
丛编项: 高等院校电子技术系列教材
标 签: 集成电路

ISBN: 9787302099529 出版时间: 2005-01-01 包装: 平装
开本: 26cm 页数: 268 字数:  

内容简介

  本书从非微电子专业读者掌握VLSI设计知识和技能的需求出发,以器件、电路和系统设计为背景,系统全面地介绍VLSI设计的知识和方法,主要内容包括VLSI设计概论、MOS器件设计、半导体工艺基础知识、电路设计及参数计算、基本逻辑电路设计、VLSI版图设计、半定制全定制及片上系统(SOC)的设计方法以及VLSI计算机辅助设计等。本书是作者十多年来在清华大学计算机科学与技术系为本科生和研究生开设VLSI设计相关课程教学与VLSIEDA研究的经验基础上,结合目前集成电路设计的发展状况编写而成。本书作为VLSI设计导论性书籍,内容广泛,叙述由浅入深,既可作为大专院校计算机、自动化、电机和机电等专业本科生和研究生学习的教材或参考书,也可作为从事VLSI设计的技术人员的参考书。本书特色系统性:以器件电路和系统设计为背景,全面系统地介绍VLSI设计知识和方法实用性:配合EDA工具的上机实践,使读者全面了解和掌握VLSI设计的整个流程及设计方法基础性:面向VLSI相关课程教学设计的基础类教材先进性:紧密跟踪VLSI工艺、设计方法的最新发展动态,跟踪EDA领域的最新研究成果,使读者了解国内外集成电路技术的发展状况

作者简介

暂缺《超大规模集成电路设计导论》作者简介

图书目录

第1章集成电路设it概论
1.1集成电路的发展
1.2集成电路设计的发展
1.3电子设计自动化技术的发展
1.4深亚微米和超深亚微米工艺对EDA技术的挑战
1.5VLSI设计的要求
1.6VLSI的设计方法学
习题
第2章CMOS集成电路制造技术
2.1半导体材料--硅
2.2集成电路制造技术简介
2.2.1热氧化工艺
2.2.2扩散工艺
2.2.3淀积工艺
2.2.4光刻工艺
2.3CMOS集成电路制造过程
2.3.1品冈处理
2.3.2CMOS集成电路工艺(前部工序)
2.3.3后部工序
习题
第3章器件设计技术
3.1引言
3.2MOS晶体管的工作原理
3.2.1半导体的表面场效应
3.2.2PN结的单向导电性
3.2.3MOS管的工作原理
3.3MOS晶体管的直流特性
3.3.1NMOS管的电流-电压特性
3.3.2PMOS管的电流-电压特性
3.4反相器直流特性
3.4.1MOS反相器的一般问题
3.4.2电阻负载反相器(E/R)
3.4.3增强型负载反相器(E/E)
3.4.4耗尽型负载反相器(E/D)
3.4.5CMOS反相器
习题
第4章电路参数及性能
4.1MOS晶体管的参数
4.1.1阈值(开启)电压
4.1.2沟道长度调制效应
4.1.3漏-源截止电流
4.1.4直流导通电阻
4.1.5栅-源直流输入电阻
4.1.6栅-源击穿电压
4.1.7漏-源击穿电压
4.2信号传输延迟
4.2.1CMOS门延迟
4.2.2连线延迟
4.2.3电路扇出延迟
4.2.4大电容负载驱动电路
4.3CMOS电路功耗
4.3.1CMOS电路的静态功耗
4.3.2CMOS电路的动态功耗
4.3.3电路总功耗
4.3.4功耗管理
4.4CMOS电路的闸流效应
4.4.1闸流效应的起因
4.4.2闸流效应的控制
4.5电路模拟HSPICE简介
4.5.1文件格式说明
4.5.2HSPICE应用例子
4.6电路设计例子
习题
第5章逻辑设i-t-技术
5.1MOS管的串.并联特性
5.1.1串联特性
5.1.2并联特性
5.2逻辑门的延迟
5.3传输门
5.3.1NMOS传输门
5.3.2PMOS传输门
5.3.3CMOS传输门
5.4CMOS逻辑结构
5.4.1异或门
5.4.2同或门
5.4.3虚拟NMOS逻辑
5.4.4CMOS骨牌逻辑
5.4.5可编程逻辑阵列
5.4.6多路选择器
5.4.7锁存器和触发器
5.5时钟策略
5.5.1时钟控制系统
5.5.2单相时钟的参数
5.5.3系统寸序
5.5.4时钟电路
习题
第6章子系统设计
6.1数据路径运算器
6.1.1加法器
6.1.2进制计数器
6.1.3寄存器
6.2存储器
6.2.1存储器的结构
6.2.2掩膜编程存储器MROM
6.2.3现场可编程PROM
6.2.4叮擦除可编程EPROM
6.2.5电可擦除可编程EEPROM
6.2.6动态随机存储器DRAM
6.2.7静态随机存储器SRAM
6.3控制电路
6.4I/O电路
6.4.1整体结构
6.4.2电源和地线
6.4.3输出压焊块
6.4.4输入压焊块
6.4.5三态和双向压焊块
习题
第7章版图设i-t-技术
7.1引言
7.2版图设计过程
7.3版图设计规则
7.3.1没计规则的内容与作用
7.3.2设计规则的描述
7.3.3CMOS的N阱工艺设计规则
7.3.4设计·规则的基础
7.3.5版图设计例子
7.4版图描述语言CIF
7.5版图电学参数计算
7.5.1电阻的估算
7.5.2电容的估算
习题
第8章系统设i-t-方法与实现技术
8.1系统设计方法
8.1.1结构化设计思想
8.1.2自动设计.半自动设计和手工设计
8.1.3正向设计与反向设计
8.1.4自顶向下设计与自底向上设计
8.1.5基于单元的设计方法与IP复用技术
8.2系统实现技术
8.3门阵列.宏单元阵列及门海
8.3.1门阵列实现技术
8.3.2宏单元阵列模式
8.3.3门海设计模式
8.4标准单元实现方式
8.5现场可编程门阵列
8.6全定制电路设计
8.6.1全定制电路的结构化设计特征
8.6.2几种全定制设计方法
8.6.3不同设计方法比较
8.7设计经济学
8.7.1非循环成本
8.7.2循环成本
8.7.3固定成本
8.8系统芯片SOC设计方法
8.8.1系统芯片的研究背景
8.8.2系统芯片的研究内容
8.8.3软硬件协同设计
8.8.41P核的生成及复用
8.8.5超深亚微米集成电路设计
8.8.6系统芯片设计方法学发展方向
习题
第9章数字系统设计自动化
9.1数字系统设计流程概述
9.1.1数字系统及其设计自动化
9.1.2基于设计自动化的设计流程
9.1.3单元库
9.1.4EDA技术的发展趋势
9.2硬件描述语言
9.2.1VHDL语言
9.2.2VerilogHDL语言
9.3设计分析与模拟
9.4自动综合与设计验证
9.4.1自动综合
9.4.2设计验证
9.5系统测试及封装
9.5.1系统的测试方法
9.5.2系统封装
习题
参考文献

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