第1章 CMOS集成电路工艺流程
1.1 前言
1.2 MOS集成电路的基本制造工艺过程
1.2.1 晶圆
1.2.2 氧化
1.2.3 扩散与离子注入
1.2.4 淀积
1.2.5 光刻与刻蚀
1.2.6 隔离技术
1.2.7 连接接触
1.3 N阱CMOS制造过程
1.3.1 3种主要的CMOS设计结构
1.3.2 N阱CMOS制作流程
1.4 BiCMOS制作工艺
思考题与习题
第2章 基本MOS器件
2.1 MOS晶体管器件
2.1.1 MOS晶体管结构与几何参数
2.1.2 MOS管的阈值电压VGS（th）
2.1.3 MOS晶体管的工作原理
2.1.4 二阶效应
2.2 MOS器件模型
2.2.1 MOS晶体管的小信号模型（Spice Level 1）
2.2.2 MOS晶体管的大信号模型（Spice Level 2）
2.2.3 MOS晶体管的（Spice Level 3）模型
2.2.4 MOS场效应管Pspice模型参数
2.3 电阻与电容
2.3.1 电阻
2.3.2 电容
2.4 短沟道效应
2.4.1 等比例缩小理论
2.4.2 短沟道效应
2.5 闩锁效应
思考题与习题
第3章 MOS集成电路
3.1 MOS单级放大电路
3.1.1 共源极放大器
3.1.2 共漏极放大器
3.1.3 共栅极放大器
3.2 MOS差分放大电路
3.2.1 MOS差分对管的直流转换特性
3.2.2 MOS差分对管的跨导
3.2.3 MOS差分对管的失调特性
3.3 CMOS单级放大电路
3.3.1 输入一输出电压传输特性
3.3.2 交流小信号电压增益
3.4 CMOS差分放大电路
3.4.1 电路类型
3.4.2 CMOS差分放大器的主要性能
3.5 CMOS互补输出电路
3.6 电流源电路
3.6.1 基本镜像电流源
3.6.2 比例电流源电路
3.7 CMOS模拟集成电路
3.7.1 概述
3.7.2 CMOS运放基本电路
3.7.3 CMOS模拟集成电路的PSpice宏模型
3.8 BiCMOS电路
3.8.1 BiCMOS基本放大电路
3.8.2 BiCMOS差分放大电路
3.8.3 BiCMOS集成运算放大器
3.9 频率特性
3.9.1 基本概念
3.9.2 基本分析方法——复频域分析法
3.9.3 用开路、短路法确定转折频率
3.9.4 反馈放大器的频率响应与稳定性
思考题与习题
第4章 CMOS集成电路应用
4.1 CMOS集成运算放大器
4.1.1 CMOS集成运算放大器
4.1.2 CMOS集成运算放大器应用电路举例
4.2 CMOS集成电压比较器
4.2.1 CMOS自稳零电压比较器工作原理
4.2.2 5G14574四电压比较器
4.3 CMOS集成乘法器
4.3.1 模拟乘法器的基本概念及其主要特性
4.3.2 MOS模拟集成乘法器的工作原理
4.4 D／A与A／D转换电路的基本原理及其特性
4.4.1 D／A转换电路
4.4.2 A/D转换电路
思考题与习题
第5章 开关电流电路
5.1 模拟开关电路
5.1.1 概述
5.1.2 NMOS开关电路
5.1.3 CMOS开关电路
5.2 开关电容电路的工作原理
5.2.1 并联开关电容模拟电阻
5.2.2 串联开关电容模拟电阻
5.3 开关电容电路的基本模块
5.3.1 开关电容分压器
5.3.2 开关电容滤波器
5.3.3 开关电容积分器
5.3.4 开关电容放大器
5.4 开关电流技术
5.4.1 电流存储与延迟
5.4.2 开关电流积分器
5.4.3 开关电流微分器
5.4.4 开关电流滤波器
思考题与习题一
第6章 CMOS数字集成电路
6.1 概述
6.2 CMOS集成门电路
6.2.1 CM0S门电路
6.2.2 CMOS门电路的特性
6.2.3 高速和超高速CMOS电路
6.2.4 使用CMOS门电路应注意的问题
6.2.5 PSpice软件在CMOS门电路仿真中的应用
6.3 BiCMOS逻辑电路
6.3.1 BiCMOS门电路
6.3.2 BiCMOS门电路的外部特性
6.3.3 BiCMOS门电路的PSpice仿真
6.4 数字CMOS组合逻辑电路
6.4.1 编码器
6.4.2 译码器
6.4.3 数据选择器
6.4.4 运算器
6.4.5 数字组合逻辑电路的PSpice仿真
6.5 CMOS集成触发器和集成时序逻辑电路
6.5.1 集成触发器
6.5.2 集成电路计数器
6.5.3 寄存器和移位寄存器
思考题与习题
附录 PSpice简明手册
附录1 概述
附录2 电路输入文件中的语句
参考文献
鄂公网安备 42010302001612号 