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PDN设计之电源完整性:高速数字产品的鲁棒和高效设计

PDN设计之电源完整性:高速数字产品的鲁棒和高效设计

定 价:¥199.00

作 者: 拉里·史密斯,埃里克·博加廷 著
出版社: 机械工业出版社
丛编项:
标 签: 暂缺

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ISBN: 9787111630005 出版时间: 2019-08-01 包装: 平装
开本: 16 页数: 字数:  

内容简介

  本书阐明信号如何与互连交互、串联和并联RLC电路的阻抗相关的属性,如何从物理设计特征预测回路电感和降低电容器组合的峰值阻抗,还直击常见问题的根源,利用分析工具,有效地探索设计空间和优化权衡。

作者简介

暂缺《PDN设计之电源完整性:高速数字产品的鲁棒和高效设计》作者简介

图书目录

译者序
前言
致谢
第1章电源分配网络工程
11电源分配网络的定义及关心它的原因
12PDN工程
13PDN的鲁棒性设计
14建立PDN阻抗曲线
15总结
参考文献
第2章PDN阻抗设计基本原理
21关心阻抗的原因
22频域中的阻抗
23阻抗的计算或仿真
24实际电路元件与理想电路元件
25串联RLC电路
26并联RLC电路
27串联和并联RLC电路的谐振特性
28RLC电路和真实电容器的例子
29从芯片或电路板的角度观察PDN
210瞬态响应
211高级主题:阻抗矩阵
212总结
参考文献
第3章低阻抗测量
31关注低阻抗测量的原因
32基于V/I阻抗定义的测量
33基于信号反射的阻抗测量
34用VNA测量阻抗
35示例:测量DIP中两条引线的阻抗
36示例:测量小导线回路的阻抗
37低频下VNA阻抗测量的局限性
38四点开尔文电阻测量技术
39双端口低阻抗测量技术
310示例:测量直径为1in的铜环阻抗
311夹具伪像说明
312示例:测量通孔的电感
313示例:印制板上的小型 MLCC电容器
314高级主题:测量片上电容
315总结
参考文献
第4章电感和PDN设计
41留意PDN设计中电感的原因
42简单回顾电容,初步了解电感
43电感的定义、磁场和电感的基本原则
44电感的阻抗
45电感的准静态近似
46磁场密度
47磁场中的电感和能量
48麦克斯韦方程和回路电感
49内部及外部电感和趋肤深度
410回路电感、部分电感、自电感和互电感
411均匀圆形导体
412圆形回路中电感的近似
413紧密结合的宽导体的回路电感
414均匀传输线回路电感的近似
415回路电感的简单经验法则
416高级主题:利用3D场求解器计算S参数并选取回路电感
417总结
参考文献
第5章实用多层陶瓷片状电容器的集成
51使用电容器的原因
52实际电容器的等效电路模型
53并联多个相同的电容器
54两个不同电容器间的并联谐振频率
55PRF处的峰值阻抗
56设计一个贴片电容
57电容器温度与电压稳定性
58多大的电容是足够的
59一阶和二阶模型中实际电容器的ESR
510从规格表中估算电容器的ESR
511受控ESR电容器
512电容器的安装电感
513使用供应商提供S参数的电容器型号
514如何分析供应商提供的S参数模型
515高级主题:更高带宽的电容模型
516总结
参考文献
第6章平面和电容器的特性
61平面的关键作用
62平面的低频特性:平行板电容
63平面的低频特性:边缘场电容
64平面的低频特性:功率坑中的边缘场电容
65长窄腔回路电感
66宽腔中的扩散电感
67从3D场求解器中获得扩散电感
68集总电路中串联和并联的自谐振频率
69探讨串联LC谐振的特性
610扩散电感和源的接触位置
611两个接触点之间的扩散电感
612电容器和腔的相互作用
613扩散电感的作用:电容位置在何时重要
614饱和扩散电感
615空腔模态共振和传输线特性
616传输线和模态共振的输入阻抗
617模态共振和衰减
618空腔二维模型
619高级主题:使用传输阻抗探测扩散电感
620总结
参考文献
第7章信号返回平面改变时,信号完整性的探讨
71信号完整性和平面
72涉及峰值阻抗问题的原因
73通过较低阻抗和较高阻尼来降低腔体噪声
74使用短路通孔遏制腔体谐振
75使用多个隔直电容抑制腔体谐振
76为抑制腔体谐振,估计隔直电容器的数量
77为承受回路电流,需要确定隔直电容器的数量
78使用未达数量的隔直电容器的腔体阻抗
79扩散电感和电容器的安装电感
710使用阻尼来遏制由一些电容器产生的并联谐振峰
711腔体损耗和阻抗峰的降低
712使用多个容量的电容器来遏制阻抗峰
713使用受控ESR电容器来减小峰值阻抗高度
714处理回路平面为重要的设计原理的总结
715高级主题:使用传输线电路对平面建模
716总结
参考文献
第8章PDN生态学
81元件集中在一起:PDN生态学和频域
82高频端:芯片去耦电容
83封装PDN
84Bandini山
85估计典型的Bandini 山频率
86Bandini山的固有阻尼
87具有多个通孔对接触的电源地平面
88从芯片通过封装看PCB腔体
89空腔的作用:小印制板、大印制板和“电源旋涡”
810低频端:VRM和它的大容量电容器
811大容量电容器:多大的电容值足够
812优化大容量电容器和VRM
813建立PDN生态学系统:VRM、大容量电容器、腔体、封装和片上电容器
814峰值阻抗的基本限制
815在具有一般特性的印制板上使用单数值的MLCC电容器
816优化单个MLCC电容器的数值
817在印制板上使用3个不同数值的MLCC电容器
818优化3个电容器的数值
819选择电容值和小电容器数目的频域目标阻抗法
820使用FDTIM选择电容器的值
821当片上电容是大的和封装引线电感小的时候
822使用受控ESR电容器是一种替换的去耦策略
823封装上的去耦电容器
824高级主题:同一供电电路上多个芯片的影响
825总结
参考文献
第9章瞬时电流和PDN电压噪声
91瞬时电流如此重要的原因
92平坦阻抗曲线、瞬时电流

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