随着磁电阻效应在计算机存储、传感器等高新技术领域的成功应用,磁电阻材料近年来也受到研究人员的广泛关注。本书主要讨论新型磁电阻氧化物Sr,FeMoO。的阳离子掺杂效应,共分五章。第一章主要介绍了双钙钛矿氧化物Sr,FeMoO。的品体结构及其磁电阻效应,是全书的基础。第二章主要介绍了本书中涉及的几种实验技术的原理、实验方法及数据处理,为后续数据分析提供技术保障。第三、四、五章分别分析了Sr,FeMoO。化合物的3d过渡金属元素掺杂、电子掺杂及空穴掺杂效应。由于其高于室温的居里温度和较大的室温低场磁电阻效应,Sr,FeMo0。被认为是最有可能实现应用的磁电阻材料。掺杂技术亦是改善材料性能和揭示材料物理本质的有效手段。本书可作为初涉足磁电阻化合物科学研究人员的参考用书。