第1章 绪论
1.1 ZnO的基本性质
1.2 p型ZnO薄膜的制备与相关理论
1.2.1 ZnO的本征缺陷
1.2.2 ZnO的p型掺杂
1.3 ZnO的量子阱与超晶格结构
1.3.1 量子阱与超晶格的基本概念
1.3.2 量子阱与超晶格的能带模型
1.3.3 量子阱的激子与超晶格内部的电子运动
1.3.4 ZnO基量子阱与超晶格
1.4 ZnO的结器件研究进展
1.4.1 发光二极管（LED）
1.4.2 激光二极管（LD）
1.4.3 光敏探测器
1.5 本书的研究内容及意义
第2章 ZnOp-n结器件的PLD制备方法及相关测试技术
2.1 脉冲激光沉积概述
2.2 脉冲激光沉积原理
2.3 脉冲激光沉积系统
2.4 相关表征技术
2.4.1 X射线衍射（XRD）
2.4.2 电学性能测试
2.4.3 扫描电镜（SEM）
2.4.4 光致发光谱（PL）
2.4.5 紫外可见分光光度计（UV-Vis Spectroscopy）
2.5 主要工艺过程
2.5.1 靶材制备过程
2.5.2 衬底的选择和清洗
2.5.3 薄膜的制备
第3章 ZnO/ZMO薄膜的研究
3.1 制备与表征
3.1.1 ZnO/ZMO薄膜样品靶材的制备
3.1.2 ZnO/ZMO薄膜的制备与表征
3.2 ZnO/ZMO组分与微结构
3.2.1 ZnO/ZMO样品组分确定
3.2.2 ZnO/ZMO样品微结构分析
3.3 ZnO/ZMO薄膜的光学性能
3.3.1 ZnO/ZMO薄膜吸收谱分析
3.3.2 ZnO/ZMO薄膜光致发光谱分析
3.4 ZnO/ZMO薄膜的电学性能
3.5 本章总结
第4章 ZnMgO多量子势垒
4.1 ZnMgO多量子势垒薄膜的制备与表征
4.1.1 ZnMgO多量子势垒薄膜靶材的制备
4.1.2 ZnMgO多量子势垒薄膜的制备
4.2 ZnMgO多量子势垒样品的微结构分析
4.2.1 ZnMgO多量子势垒薄膜的微结构分析
4.2.2 ZnMgO多量子势垒薄膜的电镜分析
4.3 ZnMgO多量子势垒薄膜的光学性能
4.3.1 ZnMgO多量子势垒薄膜的吸收谱分析
4.3.2 ZnMgO多量子势垒薄膜的光致发光谱分析
4.4 ZnMgO多量子势垒薄膜的电学性能
4.5 本章总结
第5章 ZnMgO多量子势垒对ZnO p-n结器件性能的提升
5.1 两种ZnO p-n结器件的制备
5.1.1 靶材的制备
5.1.2 ZnO p-n结器件H与内嵌ZnMgO量子势垒ZnO p-n结Q器件的制备
5.2 H与Q系列微结构的比较分析
5.2.1 H与Q系列XRD图谱比较
5.2.2 Q系列XRD图谱比较
5.3 ZnMgO多量子势垒对ZnO p-n结的光增益
5.3.1 H与Q系列吸收谱的测试分析
5.3.2 H与Q系列光致发光谱测试的测试分析
5.4 ZnMgO多量子势垒对ZnO p-n结的电学特性提升
5.4.1 电极制备的具体说明
5.4.2 I-V曲线测试
5.4.3 Q系列反向击穿电压的分析
5.5 霍尔效应测试
5.6 Q系列样品的能带结构分析
5.7 关于Q1的霍尔效应测试的讨论
5.8 本章总结
第6章 总结及展望
6.1 总结
6.2 展望
参考文献
鄂公网安备 42010302001612号 