哈利•杰•莱文森（Harry J.Levinson），国际光学工程学会（SPIE）会士，HJL Lithography 的独立光刻顾问和首席光刻师，专注于光刻领域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM担任过职位。曾将光刻应用于许多不同的技术，包括双极存储器、64MB和256MB DRAM开发、专用集成电路芯片制造、磁记录薄膜磁头、闪存和先进逻辑芯片等。曾数年担任美国光刻技术工作组主席，参与制定了《国际半导体技术路线图》中有关光刻技术的章节。他是硅谷首批SVG-5倍步进式光刻机的用户之一，也是248nm、193nm和极紫外光刻的早期参与者；撰写的著作还有：《光刻工艺控制》《光刻原理》，拥有70多项美国专利。高伟民，阿斯麦公司（ASML）中国区技术总监，资深的光刻技术专家。获浙江大学光学工程学士学位和比利时鲁汶大学物理学硕士、博士学位，先后就职于比利时微电子研发中心（IMEC）和美国新思科技（Synopsys）。专注光刻技术研发，浸润先进光刻技术研发20年，参与了从0.13μm到5nm节点的多世代芯片光刻技术开发，拥有15年极紫外光刻技术研发的丰富经验。还在各种国际期刊和会议上发表了100多篇论文，担任多个国际会议组委并多次作邀请演讲。
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