本书从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，详细介绍了抗辐射加固设计（RHBD）技术以及在该技术中常用的相关组件，重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器（SRAM）单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。本书共分为6章，分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM单元的抗辐射加固设计技术。通过学习本书内容，读者可以强化对集成电路器件抗辐射加固设计技术的认知，了解该领域的当前**研究成果和相关技术。
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