功率半导体器件：理论及应用

定　价：¥45.00

作　者：	（捷克）维捷斯拉夫·本达（Vitezslav Benda），（英）约翰·戈沃（John Gowar），（英）邓肯A.格兰特（Duncan A.Grant）著；吴郁，张万荣，刘兴明译
出版社：	化学工业出版社
丛编项：
标　签：	电子与通信半导体技术

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ISBN：	9787502568023	出版时间：	2005-05-01	包装：	胶版纸
开本：	24cm	页数：	444	字数：

内容简介

　　本书较全面地讲述了现有各类重要功率半导体器件的结构、基本原理、设计原则和应用特性，有机地将功率器件的设计、器件中的物理过程和器件的应用特性联系起来。书中内容由浅入深，从半导体的性质、基本的半导体结构、器件的制造和模拟、功率半导体器件的应用到各类重要功率半导体器件的基本原理、设计原则和应用特性，建立起一系列不同层次的、复杂程度渐增的器件模型，并阐述了各类重要功率半导体器件各级模型的基础知识，使功率半导体器件的使用者能够很好地理解重要功率器件（分立的和集成的）的结构、功能、特性和特征。另外，书中还介绍了功率器件的封装、冷却、可靠性工作条件以及未来的材料和器件的相关内容。本书可作为微电子和电力电子领域相关的工程技术人员的参考书，也可用作相关专业的高年级本科生、研究生课程的配合教材或参考书。

作者简介

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图书目录

1 半导体的性质
　1.1 带电载流子和半导体能带结构
　1.2 自由载流子浓度
　1.3 半导体的电导率
　　1.3.1 决定电导率的因素
　　1.3.2 决定硅中载流子迁移率的因素
　1.4 过剩载流子的产生与复合
　　1.4.1 平衡和非平衡条件
　　1.4.2 通过局域陷阱中心的复合
　　1.4.3 其他复合过程
　1.5 载流子的扩散和漂移
　1.6 非均匀掺杂的影响
　总结
　参考文献
2 基本的半导体结构
　2.1 pn结及其基本性质
　　2.1.1 电流电压特性
　　2.1.2 反向偏置
　　2.1.3 电击穿
　　2.1.4 热击穿和热奔
　　2.1.5 光照对pn结特性的影响
　　2.1.6 pn结的瞬态特性
　2.2 nn+和pp+结
　2.3 表面效应和MOS结构
　2.4 金属半导体接触
　　2.4.1 整流（肖特基）接触
　　2.4.2 欧姆接触
　总结
　参考文献
3 器件、制造和模拟
　3.1 各类功率半导体器件
　　3.1.1 功率二极管
　　3.1.2 常规的双极功率晶体管
　　3.1.3 晶闸管结构
　　3.1.4 结型场效应（静电感应）器件
　　3.1.5 功率MOS结构1：功率MOSFET
　　3.1.6 功率MOS结构2：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
　　3.1.7 功率MOS结构3：MOS控制晶闸管（MCT）
　　3.1.8 器件特性总结
　3.2 制造工艺
　　3.2.1 高纯度单晶硅的制备
　　3.2.2 硅片制备
　　3.2.3 外延生长
　　3.2.4 热氧化
　　3.2.5 光刻
　　3.2.6 刻蚀工艺
　　3.2.7 杂质的引入及再分布1：扩散
　　3.2.8 杂质的引入及再分布2：离子注入
　　3.2.9 化学气相淀积技术
　　3.2.10 接触的制备
　3.3 载流子寿命控制
　　3.3.1 获得长载流子寿命的技术
　　3.3.2 减小载流子寿命的技术
　3.4 高压结构
　3.5 计算机模拟及仿真技术
　总结
　参考文献
4 功率半导体器件的应用
　4.1 不控整流
　4.2 可控整流
　4.3 交流到交流的变换
　4.4 逆变器
　4.5 非隔离型直流到直流变换器
　4.6 变压器隔离型直流到直流变换器
　4.7 功率因数校正
　4.8 谐振电路
　总结
　参考文献
5 功率二极管
6 双极结型功率晶体管
7 晶闸管：基本工作原理
8 各类晶闸管及其应用
9 静电感应功率器件
10 金属氧化物半导体场效应功率晶体管
11 双极MOS功率器件
12 功率模块和集成结构
13 可靠工作的条件
14 未来的材料和器件
附录扩散方程
中英文对照