硅超大规模集成电路工艺技术：理论、实践与模型

第1章 引言及历史展望
　1.1 引言
　1.2 集成电路与平面工艺——促成集成电路产生的几项关键发明
　1.3 半导体的基本特性
　1.4 半导体器件
　　1.4.1 pn结二极管
　　1.4.2 mos晶体管
　　1.4.3 双极型晶体管
　1.5 半导体工艺技术的发展历程
　1.6 现代科学发现——实验、理论与计算机模拟
　1.7 本书的内容安排
　1.8 本章要点小结
　1.9 参考文献
　1.10习题
第2章 现代cmos工艺技术
　2.1 引言
　2.2 cmos工艺流程
　　2.2.1 cmos工艺流程
　　2.2.2 有源区的形成
　　2.2.3 用于器件隔离的可选工艺方案——浅槽隔离
　　2.2.4 n阱和p阱的形成
　　2.2.5 用于制备有源区和阱区的可选工艺方案
　　2.2.6 栅电极的制备
　　2.2.7 前端或延伸区（ldd）的形成
　　2.2.8 源漏区的形成
　　2.2.9 接触与局部互连的形成
　　2.2.10多层金属互连的形成
　2.3 本章要点小结
　2.4 习题
第3章 晶体生长、晶圆片制造与硅晶圆片的基本特性
　3.1 引言
　3.2 历史发展和基本概念
　　3.2.1 单晶结构
　　3.2.2 晶体中的缺陷
　　3.2.3 原料与提纯
　　3.2.4 直拉和区熔单晶的生长方法
　　3.2.5 圆片的准备和规格
　3.3 制造方法和设备
　3.4 测量方法
　　3.4.1 电学测试
　　3.4.2 物理测量
　3.5 模型和模拟
　　3.5.1 直拉法单晶生长
　　3.5.2 cz单晶生长期间的掺杂
　　3.5.3 区域精炼与区熔（fz）生长
　　3.5.4 点缺陷
　　3.5.5 硅中的氧
　　3.5.6 硅中碳
　　3.5.7 模拟
　3.6 技术和模型的限制及未来趋势
　3.7 本章要点小结
　3.8 参考文献
　3.9 习题
第4章 半导体制造——洁净室、晶圆片清洗与吸杂处理
　4.1 引言
　4.2 历史的发展与几个基本概念
　　4.2.1 第一个层次的污染降低:超净化工厂
　　4.2.2 第二个层次的污染降低:晶圆片清洗
　　4.2.3 第三个层次的污染降低:吸杂处理
　4.3 制造方法与设备
　　4.3.1 第一个层次的污染降低:超净化工厂
　　4.3.2 第二个层次的污染降低:晶圆片清洗
　　4.3.3 第三个层次的污染降低:吸杂处理
　4.4 测量方法
　　4.4.1 第一个层次的污染降低:超净化工厂
　　4.4.2 第二个层次的污染降低:晶圆片清洗
　　4.4.3 第二个层次的污染降低:吸杂处理
　4.5 模型与模拟（模型化方法与模拟技术）
　　4.5.1 第一个层次的污染降低:超净化工厂
　　4.5.2 第二个层次的污染降低:晶圆片清洗
　　4.5.3 第三个层次的污染降低:吸杂处理
　4.6 工艺技术与模型方面的限制因素及未来的发展趋势
　4.7 本章要点小结
　4.8 参考文献
　4.9 习题
第5章 光刻
第6章 热氧化和si-sio2界面
第7章 扩散
第8章 离子注入
第9章 薄膜淀积
第10章 刻蚀
第11章 后端工艺
附录
术语表