电路板图形转移技术与应用

目录
前言
第1章 液态油墨与干膜
1.1 液态油墨 2
1.2 电路板用液态油墨的分类 2
1.3 液态感光油墨与阻焊油墨的特性要求 3
1.4 干膜型光致抗蚀剂 5
1.5 负像型干膜与正像型抗蚀剂的区别 6
1.6 液态光致抗蚀剂的应用 10
1.7 干膜的结构 11
第2章 电路板制作工艺
2.1 电路板线路制作 14
2.2 电路板导通孔制作 16
第3章 孔金属化工艺
3.1 关键影响因素 18
3.2 直接电镀技术 18
3.3 避免金属化空洞问题的方法 20
3.4 小结 26
第4章 铜面及基材特性对图形转移的影响
4.1 介质材料的构建 28
4.2 铜面的处理 28
第5章 贴膜前的金属表面处理
5.1 关键影响因素 36
5.2 处理效果与影响 36
5.3 表面处理与结合力的一般性考虑 37
5.4 铜面状态与接触面积 38
5.5 铜面状态的磨刷改性 40
5.6 铜面处理工艺的选择 40
5.7 铜面的化学成分 41
5.8 质量检验 45
5.9 各种表面处理工艺 45
5.10 表面处理注意事项 53
第6章 贴膜
6.1 关键影响因素 56
6.2 贴膜工艺 57
6.3 贴膜缺陷 60
第7章 盖孔
7.1 关键影响因素 64
7.2 工艺经济性及地区性差异 64
7.3 盖孔蚀刻工艺 65
7.4 盖孔作业的缺陷模式 67
7.5 使用前的盖孔能力测试及评估 68
第8章 底片
8.1 关键影响因素 70
8.2 底片的制作与使用 70
8.3 胶卷型底片的特性 71
8.4 各种底片的结构及光化学反应 72
8.5 底片的质量 75
8.6 底片工艺的说明 76
8.7 底片的制作与使用 76
8.8 尺寸稳定性 77
第9章 曝光
9.1 主要影响因素 80
9.2 曝光能量检测 81
9.3 曝光设备 84
9.4 线路对位精度 86
9.5 接触式曝光的问题 87
9.6 图形转移的无尘室 92
9.7 直接成像（DI） 94
9.8 其他接触式曝光替代技术 106
第10章 曝光对位问题的判定与应对
10.1 对位问题概述 108
10.2 典型的对位偏差模式 110
10.3 自动曝光对位偏差问题的分析与应对 111
10.4 对位偏差案例分析 112
10.5 小结 116
第11章 显影
11.1 关键影响因素 118
11.2 曝光后的停留时间 119
11.3 提高药液的曝光选择性 119
11.4 负像型水溶性干膜的基础知识 120
11.5 水溶性显影液的化学特性 120
11.6 显影槽中的喷流机构 121
11.7 水洗的功能与影响 123
11.8 显影后的干膜干燥 124
11.9 液态光致抗蚀剂显影 124
第12章 电镀
12.1 关键影响因素 132
12.2 酸性镀铜 133
12.3 电镀锡铅 137
12.4 电镀纯锡 138
12.5 电镀镍 138
12.6 电镀金 139
12.7 改善镀层均匀性 140
12.8 进一步了解有机添加剂 141
12.9 电镀问题与处理 145
第13章 蚀刻
13.1 关键影响因素 156
13.2 干膜的选择 157
13.3 酸性蚀刻的均匀性 157
13.4 干膜状态与蚀刻效果的关系 158
13.5 蚀刻因子的挑战 159
13.6 蚀刻液体系 160
13.7 蚀刻工艺与设备 160
13.8 图形转移、蚀刻及盖孔蚀刻的残铜问题 170
第14章 水溶性干膜的退膜
14.1 关键影响因素 176
14.2 退膜工艺与化学反应 177
14.3 废弃物处理 181
第15章 水质的影响
附录 图形转移工艺特性参数
附录1 铜面处理的主要特性参数 188
附录2 贴膜的主要特性参数 189
附录3 曝光的主要特性参数 191
附录4 显影的主要特性参数 192
附录5 酸性电镀的主要特性参数 193
附录6 蚀刻的主要特性参数 194
附录7 退膜的主要特性参数 196