半导体光物理过程

第1章 半导体的能带结构和电子能量状态
1.1 能带结构
1.2 能量在动量空间的分布
1.3 晶体波函数与能带分析
1.4 费米能级与能量色散
1.5 导体、半导体、绝缘体
1.6 半导体载流子浓度
1.7 半导体中的杂质能态
1.8 带尾态
1.9 激子
1.10 半导体合金中的能态
第2章 半导体的光吸收
2.1 本征吸收
2.2 非本征吸收
2.3 光吸收中的跃迁
第3章 半导体的光学常数
3.1 麦克斯韦方程组与波动方程
3.2 反射系数、透射系数与折射系数
3.3 吸收系数与折射率、消光系数
3.4 Kramers-Kronig relations简介
3.5 干涉效应
第4章 半导体的外场效应
4.1 压力效应
4.2 温度效应
4.3 电场效应
4.4 磁场效应
4.5 霍尔效应
4.6 磁阻效应
4.7 热磁效应
第5章 半导体中的光发射
5.1 光发射的速率
5.2 Van Roosbroeck-Shockley关系
5.3 辐射复合几率与寿命
5.4 辐射效率
5.5 光发射形式
第6章 半导体的辐射与非辐射复合
6.1 辐射复合
6.2 非辐射复合过程
第7章 氧化物薄膜半导体特性
7.1 氧化锌（ZnO）薄膜的特性
7.2 氧化镓（Ga2O2）薄膜的特性
7.3 氧化物掺杂合金薄膜的特性
第8章 PN结中的光电过程
8.1 PN结的性质
8.2 PN结正向偏压与效应
8.3 半导体异质结
8.4 PN结的反向偏压与击穿
第9章 半导体光生伏特效应
9.1 PN结的光生伏特效应
9.2 肖特基势垒的光生伏特效应
9.3 体光生伏特效应
9.4 反常光生伏特效应
9.5 其他光生伏特效应
9.6 太阳能电池的发展趋势
第10章 半导体的自发辐射和受激辐射
10.1 半导体的自发辐射
10.2 半导体的受激辐射
10.3 半导体受激光辐射的条件
第11章 半导体激光器
11.1 半导体激光器的基本结构和工作原理
11.2 半导体激光器的光电特性
11.3 半导体异质结激光器的分类及特性
11.4 半导体激光器的制备工艺
第12章 半导体太赫兹技术与应用
12.1 太赫兹概述
12.2 太赫兹发射器
12.3 太赫兹的探测方法
12.4 太赫兹应用
参考文献