多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用

定　价：¥150.00

作　者：	贺朝会，唐杜，臧航，邓亦凡，田赏
出版社：	科学出版社
丛编项：
标　签：	暂缺

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ISBN：	9787030764690	出版时间：	2023-10-01	包装：	平装胶订
开本：	16开	页数：		字数：

内容简介

　　本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律，在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。