纳米多孔GaN基薄膜的制备及其特性研究

目录“博士后文库”序言前言第1章 绪论 11.1 GaN的材料特性 11.2 GaN材料的应用背景 31.3 GaN单晶薄膜的研究现状 61.4 纳米多孔GaN单晶薄膜的研究现状 7第2章 实验设备和测试方法 112.1 实验设备 112.1.1 有机金属化学气相沉积系统 112.1.2 电化学刻蚀系统 122.2 测试方法 132.2.1 表面形貌测试方法 132.2.2 晶体结构测试方法 152.2.3 物质成分测试方法 162.2.4 光学特性测试方法 182.2.5 力学特性测试方法 212.2.6 电学特性测试方法 222.2.7 其他测试方法 25第3章 GaN薄膜在预刻蚀阶段的电化学刻蚀机理 273.1 实验部分 283.2 结果和讨论 283.3 本章小结 34第4章 纳米多孔GaN薄膜的光催化特性 354.1 实验部分354.1.1 纳米多孔GaN薄膜的制备 354.1.2 光催化测试 364.2 结果和讨论364.2.1 纳米多孔GaN薄膜的表征 364.2.2 纳米多孔GaN薄膜的光催化活性384.2.3 纳米多孔GaN薄膜和多孔Si的光催化活性的对比 404.3 本章小结 43第5章 纳米多孔GaN薄膜的光电化学特性 445.1 实验部分 445.1.1 GaN单晶薄膜的制备 445.1.2 纳米多孔GaN薄膜的制备 445.1.3 测试和表征 455.2 结果和讨论 455.3 本章小结 52第6章 纳米多孔GaN基MQW的制备及其光电化学特性 536.1 实验部分 536.2 结果和讨论 546.2.1 纳米多孔GaN基MQW的制备和表征546.2.2 剥离的纳米多孔GaN基MQW的制备和表征 586.2.3 纳米多孔GaN基MQW的光电化学特性 616.3 本章小结 64第7章 纳米多孔GaN基LED的制备及特性 667.1 实验部分 667.2 结果和讨论 677.3 本章小结 71第8章 具有分布布拉格反射镜的GaN基LED制备及特性 728.1 实验部分 738.1.1 GaN薄膜的外延生长 738.1.2 片尺寸纳米多孔GaN DBR的制备 738.1.3 LED 结构的外延生长 738.1.4 测试与表征 748.2 结果和讨论 748.3 本章小结 81第9章 具有GaN/纳米空腔的InGaN基LED的制备及特性 829.1 实验部分 829.1.1 GaN薄膜的外延生长 829.1.2 片尺寸多层纳米多孔GaN结构的制备 839.1.3 LED结构的外延生长 839.1.4 测试与表征 849.2 结果和讨论 849.3 本章小结 89第10章 具有中孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN/GaN光阳极的制备及其光电化学特性 9010.1 实验部分 9110.1.1 样品制备 9110.1.2 测试和表征 9110.2 结果和讨论 9210.3 本章小结 99第11章 自支撑纳米多孔InGaN/GaN MQW的制备及发光特性 10011.1 实验部分 10111.1.1 薄膜的外延生长 10111.1.2 薄膜的光电化学刻蚀 10111.1.3 测试和表征 10111.2 结果和讨论 10111.3 本章小结 107第12章 具有纳米多孔GaN反射镜的多孔InGaN/GaN MQW的光解水特性 10812.1 实验部分 10912.1.1 薄膜外延生长 10912.1.2 薄膜的电化学刻蚀 10912.1.3 测试和表征 11012.2 结果和讨论 11012.3 本章小结 119参考文献 120编后记 143彩图