锑基红外探测器

前言致谢第1章红外探测器特征 1.1 简介1.2 红外探测器分类1.3 探测器的优值 1.4 探测器的性能基本限制1.5 焦平面阵列的性能 第2章锑基材料2.1 体材料2.2 外延层2.3 物理性质2.4 热产生-复合过程第3章 II类超晶格3.1 带隙工程红外探测器 3.2 II类超晶格的生长 3.3 物理特性3.4 载流子寿命3.5InAsGaSb与InAsInAsSb超晶格系统比较第4章锑基红外光电二极管4.1 二元III-V族光电二极管的最新进展4.1.1 InSb光电二极管4.1.2 InAs光电二极管4.1.3 InAs雪崩光电二极管4.2 InAsSb体材料光电二极管第5章 II类超晶格红外光电二极管5.1InAsGaSb超晶格光电二极管5.2InAsInAsSb超晶格光电二极管 5.3 器件钝化5.4 II类超晶格光电探测器的噪声机制第6章红外势垒光电探测器6.1 工作原理6.2 SWIR势垒探测器6.3 MWIRInAsSb势垒探测器6.4 LWIRInAsSb势垒探测器6.5 T2SL势垒探测器6.6 势垒探测器与HgCdTe光电二极管比较6.7 多色势垒探测器第7章级联红外光电探测器 7.1 多级红外探测器7.2 II类超晶格带间级联红外探测器7.2.1 工作原理7.2.2 MWIR带间级联探测器7.2.3 LWIR带间级联探测器7.3 与HgCdTe HOT光电探测器性能比较第8章探测器对红外辐射进行耦合 8.1 标准耦合8.2 等离子体耦合8.2.1表面等离子体8.2.2 红外探测器的等离子体耦合8.3陷光探测器第9章焦平面阵列9.1 红外焦平面阵列的发展趋势9.2 红外FPA的考虑9.3 InSb阵列9.4 InAsSbnBn探测器FPA9.5 II类超晶格FPA第10章最后的评述10.1 P-on-nHgCdTe光电二极管10.2 焦平面阵列的可制造性10.3 结论索引作者介绍