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中国材料工程大典(第11卷信息功能材料工程上)

中国材料工程大典(第11卷信息功能材料工程上)

定 价:¥120.00

作 者: 王占国、陈立泉、屠海令
出版社: 化学工业出版社
丛编项: 中国材料工程大典
标 签: 功能材料 工程材料学 一般工业技术 科技

ISBN: 9787502573133 出版时间: 2006-03-01 包装: 精装
开本: 16开 页数: 649 字数:  

内容简介

  本书是《中国材料工程大典》中的卷目之一。信息功能材料是信息科学技术和信息产业发展的基础和先导。21世纪将是以信息产业为核心的知识经济时代,对信息技术和信息资源的竞争将更加激烈。我国电子信息行业2004年完成产品销售收入达26500亿元,多年来已居外贸出口首位,并继续以高出工业发展速度10%的速度发展,已成为世界信息产业大国。加快由信息产业大国向信息产业强国迈进的步伐,是我们广大从事信息技术,特别是信息功能材料工作者义不容辞的责任。希望《中国材料工程大典》中《信息功能材料工程》卷的出版,将有力推动我国信息技术和信息产业的健康发展。《信息功能材料工程》分上、中、下卷,共设20篇,约600万字。它涉及到信息的获取、传输、存储、显示和处理等主要技术用的材料与器件,是目前我国该领域比较完整的专业工具书。参加这部书编写的有中科院、高校和部分企业的专家教授近200名。参加编写的主要单位有中科院半导体研究所、中科院物理研究所、中科院微电子研究所、中科院上海精密光学机械研究所、中科院上海红外技术物理研究所、中科院长春应用化学研究所、中科院合肥固体物理所、南京大学、清华大学、西安理工大学、北京有色金属研究总院、武汉邮电科学研究院等。历时近3年完稿。由王占国、陈立泉、屠海令任主编并统稿。本卷各篇不仅全面系统地反映了国外信息功能材料研究领域的现状、最新进展和发展趋势,而且也特别注重我国在该领域的研发和产业化方面取得的成果,力图使其具有实用性、先进性和权威性。本书适合于从事信息功能材料的科研工作者和工程技术人员查阅使用,也可供有关师生参考<br>。

作者简介

  王占国,院士,中国科学院院士,中国科学院半导体所研究员。

图书目录

第1篇 概论
第1章 信息功能材料在信息技术中的战略地位
第2章 信息功能材料的发展现状和趋势
参考文献
第2篇 半导体硅材料
第1章 概述
第2章 硅单晶的制备
第3章 硅晶体的机械性质
第4章 硅晶体表面性质
第5章 硅晶体的腐蚀
第6章 硅晶片加工工艺
第7章 硅单晶的缺陷
第8章 硅单晶中轻元素杂质
第9章 硅单晶中的过渡族金属杂质和吸杂
第10章 其它硅材料
第11章 硅材料的发光
参考文献
第3篇 集成电路制造技术
第1章 集成电路设计技术
第2章 微细加工技术
第3章 集成电路工艺技术
第4章 CMOS器件及电路制造技术
第5章 双极型器件及电路制造技术
第6章 半导体功率器件及电路
第7章 化合物半导体器件和电路
第8章 集成电路封装技术
参考文献
第4篇 硅基异质结构材料和器件
第1章 概论
第2章 SiGe的晶体结构
第3章 SiGe的能带结构
第4章 SiGe的力学性质、热学性质和Raman光谱
第5章 SiGe的电学性质和磁学性质
第6章 SiGe的光学性质
第7章 SiGe(001)的原子再构和表面性质
第8章 SiGeC/Si异质结
第9章 硅基Ⅲ—Ⅴ族半导体异质结构
第10章 SOI材料和器件
第11章 硅基二氧化硅材料
第12章 Si基异质结构的外延生长
第13章 Si基异质结构电子器件
第14章 硅基光电子器件
参考文献
第5篇 化合物半导体材料
第1章 CaAs和InP的结构和性质
第2章 GaAs和InP的制备
第3章 GaAs和InP中的杂质和缺陷
第4章 GaAs和InP测试表征
第5章 GaAs和InP的应用
第6章 其他常见化合物半导体材料
参考文献
第6篇 宽带隙半导体及其应用
第1章 导论
第2章 Ⅲ族氮化物半导体材料
第3章 Ⅲ族氮化物半导体基本物理性质
第4章 Ⅲ族氮化物半导体器件应用
第5章 氧化锌(ZnO)半导体
第6章 碳化硅半导体
第7章 金刚石半导体
第8章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
第9章 宽禁带稀释磁性半导体材料
参考文献

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